對比 PC 時代技術(shù)更新?lián)Q代速度，移動設(shè)備的技術(shù)發(fā)展可以說非常快，基本上是以三個月為一個周期，三個月內(nèi)就某一領(lǐng)域就會有更新的技術(shù)代替原有的技術(shù)標準。在 2015 年我們又看到了許多此前沒有見過或者是很少普及的新技術(shù)標準，而這些技術(shù)標準很有可能將會在接下來的半年時間里被各大手機廠商所采用。

USB Type-C（全新數(shù)據(jù)傳輸端口）

　　首當其沖的是便是 USB Type-C，全新的數(shù)據(jù)傳輸端口，這項技術(shù)標準在 2013 年 12 月 USB 3.0 推廣團隊一次公布，而首個采用這個標準的是諾基亞。USB Type-C 首次出現(xiàn)在 Android 設(shè)備上是諾基亞的平板電腦 Nokia N1 。而在今年的 3 月蘋果新品發(fā)布會上，全新 MacBook 重新定義了連接性標準，將電源接口、USB 接口、DP 接口、HDMI 接口與 VGA 接口統(tǒng)一用 USB-C 來承載，更說明 USB Type-C 將會是未來的電子產(chǎn)品的通用標準。

　　今年的 6 月谷歌也宣布 Android M 將全面擁抱 USB Type-C 端口。下一代的 Nexus 設(shè)備也將會使用全新的 USB Type-C 端口。

    USB Type-C 的優(yōu)點在于更加纖薄的設(shè)計、更快的傳輸速度（高10Gbps）以及更強悍的電力傳輸（高100W）。Type-C 雙面可插接口大的特點是支持 USB 接口雙面插入，正式解決了“USB 永遠插不準”的世界性難題。

按壓式指紋識別技術(shù)

　　蘋果總是有引領(lǐng)潮流的能力，2013 年 Touch ID 誕生，也意味著帶指紋識別模塊的手機將會成為未來手機市場的主流。雖然 Touch ID 是指紋識別體驗空前的好，識別速度和成功率都有很好的保證，隨著 iPhone 6 的發(fā)布，Touch ID +NFC 的 Apple Pay 支付方案誕生，于此同時支付寶也已經(jīng)支持 Touch ID 的指紋識別支付，Touch ID 作用必將迎來大爆發(fā)。

　　而由蘋果引領(lǐng)的指紋識別風暴已經(jīng)席卷 Android 陣營，目前三星的 Galaxy S6、Galaxy S6 Edge 還有內(nèi)的魅族以及華為都已經(jīng)在自己的旗艦機型上使用了按壓式的指紋識別模塊，加上 Android Pay 以及三星自己支付方式 Samsung Pay 在三季度將會正式上線，屆時將會有更多的機型配備指紋識別模塊。而且不僅僅是旗艦機型，千元機級別的手機也有可能大規(guī)模的普及指紋識別功能。

　　目前指紋識別模塊售價 5 美元，30 元左右，下半年下降到 4 美元，24 人民幣左右。目前首款產(chǎn)指紋識別手機大神 Note3 已經(jīng)發(fā)布，售價為 899 元。

UFS 2.0 存儲技術(shù)

　　在此前的測試中我們已經(jīng)見識過 UFS 2.0 存儲技術(shù)的厲害，使用了 UFS 2.0 存儲技術(shù)的三星 Galaxy S6 以及 Galaxy S6 Edge 的存儲性能在各項測試中都完勝其他測試對手。UFS 存儲技術(shù)堪稱是當今高端移動設(shè)備佳的內(nèi)存存儲解決方案，UFS內(nèi)存采用“命令隊列（Command Queue）”技術(shù)，該技術(shù)常用于固態(tài)硬盤（SSD）中，通過串行接口加快命令執(zhí)行速度，與采用 8 位并行接口的eMMC標準相比，數(shù)據(jù)處理速度得到大幅提高。因此，三星此次推出存儲讀取速度達到 19000 IOPS,是高端智能手機中常用的 eMMC 5.0 嵌入式內(nèi)存（7000 IOPS）的 2.7 倍，普通高速內(nèi)存卡（1500 IOPS）的 12 倍，其超快的處理速度將大大提升系統(tǒng)性能。此外，新產(chǎn)品的連續(xù)讀寫性能也提升到了 SSD 水平，而功耗則降低了 50%。

　　在傳輸性能上， UFS 2.0 有兩個版本， HS-G2 的理論帶寬就有 5.8Gbps ，也就是超過了 740MB/s ， HS-G3 更是翻了一番，達到了 11.6Gbps ，接近了 1.5GB/s 。UFS 2.0 支持 High-Speed Gear 3 高速接口和雙數(shù)據(jù)通道，使 UFS2.0 在傳輸性能上實現(xiàn)了突破性的飛躍。

　　而且慢慢會發(fā)現(xiàn)，UFS 2.0 閃存標準將不再是 Galaxy S6/S6 Edge 獨享的技術(shù)，SK 海力士宣布推出自主研發(fā)的 UFS 2.0 閃存標準方案，容量有 16GB 、 32GB 、 64GB 、 128GB 等多種選擇，它是基于自家 16nm NAND Flash 和自主研發(fā)的固件和控制芯片。根據(jù)外專家預(yù)計，UFS 2.0 在移動設(shè)備中尤其是在智能型手機上，首先將先征服高端市場，目前三星 Galaxy S6 / S6 Edge 就已經(jīng)采用了 UFS 2.0 ，未來再逐漸向中低端市場擴張。而快下半年其他品牌的旗艦則有可能使用上 UFS 2.0 技術(shù)。

LPDDR4

　　三星領(lǐng)先的不僅有存儲技術(shù)和處理器工藝，內(nèi)存也是三星的強項。Galaxy S6 用上的 LPDDR4 內(nèi)存在未來也會成為其中智能手機的標配。此前 LG 的 G Flex 2 也已經(jīng)用上了 DDR4 內(nèi)存。海力士方面獲得證實，G Flex 2 的確采用了新的 LPDDR4 RAM。

　　新的 LPDDR4 內(nèi)存芯片相比上一代 LPDDR3 產(chǎn)品，擁有更小的電壓和更高的電源效率特點。電壓從 1.2V 降至低于 1.1V，功耗可降低超過 30%，同時傳輸效率從 1600Mbps 提升到了 3200Mbps，提升將近兩倍。得益于更高的吞吐量，更有利于手機更多先進功能的設(shè)計，比如提供超高分辨率顯示環(huán)境。

　　實際上，兩大儲存廠商海力士和三星都表示，他們已經(jīng)加強了與相關(guān)企業(yè)的合作，今年不僅主流的智能手機制造商，而且還包括中的產(chǎn)廠商，很快都將采用 LPDDR4 作為產(chǎn)品升級的解決方案。根據(jù) HIS 分析機構(gòu)的預(yù)計，明年采用 3GB RAM 的高端智能手機比例將占總份額的 36% 以上。